Hf-based High-k Dielectrics Process Development Performance Characterization - Young-Hee Kim - Paperback - en Book

١٥٫٩٥٠ د.ب.‏
+ ١٠٫٤٩٠ د.ب.‏ الشحن

Hf-based High-k Dielectrics Process Development Performance Characterization - Young-Hee Kim - Paperback - en Book

البائع:

١٥٫٩٥٠ د.ب.‏

في المخزون
+ ١٠٫٤٩٠ د.ب.‏ الشحن

سياسة الإرجاع لمدة 14 يوما

طرق الدفع:

  • العلامة التجارية: Unbranded

الوصف

Hf-based High-k Dielectrics Process Development Performance Characterization - Young-Hee Kim - Paperback - en Book

In This Work, The Reliability Of Hfo2 (hafnium Oxide) With Poly Gate And Dual Metal Gate Electrode (ru-ta Alloy, Ru) Was Investigated. Hard Breakdown And Soft Breakdown, Particularly The Weibull Slopes, Were Studied Under Constant Voltage Stress. Dynamic Stressing Has Also Been Used.
  • العلامة التجارية: Unbranded
  • الفئة: الحاسبات والإنترنت
  • حَجْم: Paperback
  • اللغة: en
  • المؤلف: Young-Hee Kim
  • الطول: 104
  • الناشر/ العنوان: Springer Nature B.V
  • هوية Fruugo: 491288589-1014622446
  • ISBN: 9783031014246

توصيل

يُرسل خلال 24 ساعة

  • STANDARD: ١٠٫٤٩٠ د.ب.‏ - التسليم بين الخميس 13 أغسطس 2026 – الأربعاء 19 أغسطس 2026

يُشحن من المملكة المتحدة.

الإرجاع

نحن نبذل قصارى جهدنا لضمان أن تصلك المنتجات التي تطلبها بالكامل وطبقاً المواصفات التي حددتها. إلا أنه في حال تلقيك طلب غير كامل أو أغراض تختلف عن تلك التي طلبتها أو كان هناك سبب آخر يدعوك لعدم الرضاء عن الطلب، فيمكنك رد الطلب أو أي منتجات يتضمنها الطلب واسترداد ما دفعته من أجل تلك الأغراض بالكامل.

عرض سياسة الرد الكاملة